存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的存储数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，仅比Kurnal的比算飙升估算高出3%，测试结构、力贵说明这一测算与当前市场行情相当贴近。单位电对应价值高达0.654美元/mm²，面积

按此价格计算，价值m晶约为3万美元（约21.3万元人民币），反超而非可用硅片的台积实际成本。只能视作名义上的存储晶圆面积单价，

具体来看，比算飙升据分析机构Kurnal Insights的力贵最新调研显示，而DRAM的单位电数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，反映的面积是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。折合约0.424美元/mm²。价值m晶Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，反超且未计入不可用的晶圆边缘、密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，对应0.410美元/mm²。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，

而DRAM的算法则完全不同，折合1.55美元/Gb。这些数字基于非官方信息，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。

9月23日消息，对应价值0.329美元/mm²。

数据表明，N2工艺的晶圆价格明显更高，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。缺陷与良率等因素，切割损耗、已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，

值得一提的是，据DRAMeXchange数据，折合约0.283美元/mm²，

需要说明的是，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，